Interacciones hiperfinas dinámicas en el semiconductor SnO2 dopado con (111In(EC)→)111Cd: un escenario de primeros principios

E. MUÑOZ; G. DARRIBA; A. CARBONARI; L. ERRICO; M. RENTERÍA

Villa Carlos Paz, Córdoba

Congreso; 97 Reunión de la Asociación Física Argentina; 2012

Asociación Física Argntina

En este trabajo presentamos un estudio experimental y de primeros principios de propiedades estructurales y electrónicas del semiconductor SnO2 dopado con impurezas Cd diluidas, localizadas en sitios de catión. Las medidas experimentales del tensor GCE fueron realizadas con la técnica de Correlaciones Angulares Perturbadas g-g Diferenciales en Tiempo (PAC) en  muestras policristalinas de SnO2 dopadas por difusión de isótopos 111In((EC)→111Cd) altamente diluidos. Las medidas fueron realizadas en el rango de temperatura 10 K-1100 K. Los espectros PAC muestran interacciones bien definidas en todo el rango de temperatura. Adicionalmente se aprecia un evidente amortiguamiento por debajo de 600 K indicando la presencia de interacciones hiperfinas dinámicas atribuidas a los efectos posteriores (after-effects) al decaimiento por captura electrónica del 111In((EC)→111Cd). Los cálculos de primeros principios fueron realizados con el método Full-Potential Augmented Plane Wave plus local orbitals (FP-APW+lo), en el marco de la Teoría de la Funcional Densidad (DFT), a través de su implementación en el código WIEN2k. Con el fin de obtener una dilución de impureza que asegure la ausencia de interacción entre átomos de Cd y de restricciones en el proceso de relajación estructural de los primeros vecinos al Cd, los cálculos se realizaron utilizando superceldas. Finalmente