Fotodetector de píxeles interconectables en tecnología CMOS de 130 nm

D'ANGELO, BRUNO; CALARCO NICOLÁS; PEREZ QUINTIÁN, FERNANDO.

San Martín, Buenos Aires

Taller; EEOF / TOPFOT 2018; 2018

Con al avance de las tecnologías de fabricación de circuitos integrados en las ultimas décadas, los sensores CMOS se han ganado un lugar de preferencia en el mercado, desplazando en muchas aplicaciones a su competidor: el sensor CCD. Una de sus principales ventajas, además de su bajo consumo y bajo costo, es la posibilidad de integrar lógica adicional dentro del mismo sustrato. En trabajos anteriores, este grupo ha presentado el diseño de un sensor de luz, cuyos píxeles poseen la capacidad de ser interconectados entre sí, con cualquier configuración deseada. Esto permite formar distintas zonas de detección con ganancias individuales y configurables, característica deseable para el funcionamiento óptimo de los codificadores ópticos basados en haces no difractivos. En este trabajo se diseñó e implementó un sensor, que es la evolución del chip anterior. El mismo se realizó en una tecnología de fabricación superior (más pequeña), de 130 nm de largo de canal, lo que presenta la ventaja de disminuir el área de la lógica correspondiente a la interconexión, mientras se mantiene el tamaño de los píxeles. De esta forma, aumenta significativamente el porcentaje de superficie destinada a la fotodetección (factor de llenado). Se incorporó, además, una etapa de salida que convierte la fotocorriente a una señal de tensión como la que entregan de manera estándar este tipo de dispositivos.