Irradiación Laser de SiH4: Distribución de Tamaños de los Polvos de Si Obtenidos

JORGE O. CACERES; JUAN J. NAJERA; SILVIA I. LANE; JUAN C. FERRERO

REVISTA INFORMACION TECNOLOGICA DEL CHILE

Centro de Informacion Tecnologica

Año: 1996 vol. 7 p. 127 - 131

0716-8756

La fotolisis de silano fue realizada con láseres pulsados de CO2 y Nd:YAG a 944 cm-1 y 532nm respectivamente, produciendo en ambos casos nanpolvos amorfos de silicio. Las experiencias fueron realizadas a temperatura ambiente y presiones de reactantes en el intervalo de 20-700 Torr. El tamaño de las partículas obtenidas está comprendido entre 2-54 nm, en distintas condiciones de trabajo, con ambos láseres. La distribución de tamaños se ajusta correctamente a una función de distribución Log-Normal caracterizada por valores medios de aproximadamente 5 nm y desviaciones estándares de 1.13 nm. Los gráficos de probabilidad logarítmica reproducen estos mismos valores. La descomposición observada a los dos frecuencias utilizadas no pueden ser explicadas en forma directa, ya que en el caso de la fotolisis en el infrarrojo la energía absorbida es insuficiente para alcanzar la energía crítica de reacción y a 532 nm el silano no absorbe. Esto indicaría que el proceso de excitación ocurre por una absorciónbifotónica.