BECAS
LAVALLE Natalia Guillermina
congresos y reuniones científicas
Título:
Determinación del gap semiconductor de Znx, Mny, Oz por absorción UV-Visible
Autor/es:
ALVAREZ Y; LAVALLE N G; CANATELLI A; BRUVERA I; GIOVANETTI L; DAMONTE L C
Lugar:
Villa Merlo, San Luis
Reunión:
Congreso; 100a Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2015
Institución organizadora:
Asociación Física Argentina
Resumen:
La electrodeposición constituye un método practico y simple para sintetizar materiales semiconductores en forma depelículas delgadas o capas nanoestructuradas. La energía del gap semiconductor de estos materiales puede ser modificadamediante el dopaje con elementos de los grupos III o IV[1]. En este trabajo y en el marco de la materia ExperimentosCuánticos II de la licenciatura en física (UNLP), se determino la energía del gap semiconductor de un conjunto de laminasdelgadas de ZnMnO generadas por electrodeposición catódica de cloruros de Zn y Mn[2]. Las medidas de absorbancia fueronrealizadas mediante un montaje ad hoc en el rango [200, 500] nm y analizadas mediante gráficos de Tau para determinar laposición del gap semiconductor en función del contenido de Mn. Se obtuvieron energías de gap monotonamente crecientescon el contenido de Mn en el rango hν perteneciente [3,2 ; 3,6] eV para composiciones en el rango y perteneciente [0 ; 0,9].
