Adsorción de Hidrógeno en la Superficie (100) del b-Ga2O3 con Vacancias de Oxígeno

E.A. GONZÁLEZ; P.V. JASEN; A. JUAN; S. E. COLLINS; A.L. BONIVARDI; M.A. BALTANÁS

Bahía Blanca, Argentina

Congreso; 89ª Reunión Nacional de Física; 2004

AFA

La comprensión de la adsorción en la fase beta del óxido de galio (b-Ga2O3) es muy importante en el diseño de sensores moleculares y catalizadores de deshidrogenación y aromatización de alcanos. Con este propósito hemos simulado el plano (100) de dicho óxido por ser el de clivaje. En nuestro estudio generamos vacancias de oxígeno, puesto que este plano no es reactivo a menos que el compuesto reciba energía o tenga defectos. Los resultados obtenidos muestran que el sistema es energeticamente favorable cuando el hidrógeno es adsorbido sobre Ga en presencia de vacancias de oxígeno. Además, las curvas COOP muestran que las interacciones Ga-H son siempre enlazantes mientras que las interacciones O-H son nulas. Los valores de espectroscopia IR para las frecuencias de "stretching" se corresponden con los valores de enlaces de las distintas clases de Ga (tetra- y octahédrico) con el H.