Study of luminescence from Si-nc/SiO2 composites

D. COMEDI; O. H. Y. ZALLOUM; J. WOJCIK; P. MASCHER

CLS Activity Report 2005-2006

CLS

Año: 2007 p. 29 - 30

Este artículo (el número 8 del libro) describe en un lenguaje simple y popular las ideas que están detrás del uso de la nanotecnología para producir luminiscencia en el Si y el problema de la determinación del origen de la luminiscencia en láminas delgadas de SiO2 que contienen nanocristales de Si embebidos en ella. Se muestra además la contribución de las técnicas disponibles en el Canadian Light Source, Inc. (CLS) que utilizan radiación sincrotrón, como "X-ray excited optical luminescence (XEOL)" y "X-ray absorption spectroscopy (XAS)", para el estudio de la luminiscencia. Algunos de los resultados obtenidos en el CLS son presentados y correlacionados con los obtenidos en otras medidas realizadas en las mismas muestras o similares. Se  concluye que la luminiscencia en la región del infrarrojo es la que se origina en los nanocristales de Si, mientras que existe un canal de recombinación radiativa que se activa cuando la excitación se realiza en el rango de los rayos X, pero que no opera cuando la excitación ocurre en el rango del UV.