Simulación por elementos finitos de la obtención del CdZnTe monocristalino utilizando el método de Bridgman.

MARTINEZ NAGY, A.M.; MARIO ROBERTO ROSENBERGER; TRIGUBO, A.B.; SCHVEZOV, C. E.; WALSÖE DE RECA, N.E.

Posadas

Jornada; 2do Encuentro de Jóvenes Investigadores en Ciencia y Tecnología de Materiales –; 2008

Se simula la síntesis, por el método de Bridgman, de lingotes monocristalinos de Cd(1-y)ZnyTe(0≤y≤0,1) mediante el empleo de Métodos Numéricos (Elementos Finitos) que permite disminuir el númerode pruebas experimentales de costo muy elevado, dado que este semiconductor se utiliza para fabricardetectores de rayos x y γ, y también como sustrato para crecimiento de películas epitaxiales de materialessensibles a la radiación IR..En la modelización se tiene en cuenta de obtener el material con calidadestructural y eléctrica excelente para optimizar su sensibilidad.Se analiza la forma de la interfase, relacionada a la calidad cristalina del material, para las distintasvelocidades de traslación de la cápsula con un mismo gradiente de temperatura en el horno en el punto desolidificación del semiconductor