Simulación a través de elementos finitos de las condiciones óptimas de crecimiento del CdZnTe monocristalino,

MARTINEZ NAGY, A.M.; MARIO ROBERTO ROSENBERGER; TRIGUBO, A.B.; SCHVEZOV, C. E.; WALSÖE DE RECA, N.E.

Buenos Aires.

Congreso; 93ª Reunión de la Asociación Física Argentina-2008.; 2008

<!-- /* Style Definitions */ p.MsoNormal, li.MsoNormal, div.MsoNormal {mso-style-parent:""; margin:0cm; margin-bottom:.0001pt; mso-pagination:widow-orphan; font-size:12.0pt; mso-bidi-font-size:10.0pt; font-family:"Times New Roman"; mso-fareast-font-family:"Times New Roman"; mso-ansi-language:ES-AR; mso-fareast-language:ES;} @page Section1 {size:612.0pt 792.0pt; margin:70.85pt 3.0cm 70.85pt 3.0cm; mso-header-margin:36.0pt; mso-footer-margin:36.0pt; mso-paper-source:0;} div.Section1 {page:Section1;} --> El Cd(1-y)Zn(y)Te (0≤y≤0,1) pertenece a la familia de materiales semiconductores II-VI y se crecen por el método Bridgman en forma monocristalina. Estos semiconductores tienen múltiples e importantes aplicaciones tecnológicas. Se los utiliza en la fabricación de detectores de rayos x y gamma, moduladores electro-ópticos, detectores fotorrefractivos y también como sustrato para crecimiento de películas epitaxiales de materiales sensibles a la radiación IR. Por tal motivo es necesario obtenerlo con calidad estructural y eléctrica excelente. A través de la simulación numérica, mediante el empleo de Elementos Finitos es posible obtener un mayor conocimiento del sistema y en consecuencia es posible disminuir el número de pruebas experimentales de costo muy elevado. Se realiza la simulación del proceso de solidificación de los monocristales con el propósito de obtener las condiciones óptimas de crecimiento. Se considera que la velocidad de crecimiento es baja, esto permite suponer un estado cuasi estacionario para la simulación. Se tienen en cuenta diferentes etapas para reducir la complejidad del cálculo y la memoria de procesamiento computacional. En la primera etapa se obtiene el perfil de temperaturas sobre la pared de la ampolla interna de cuarzo. En la segunda etapa se simula el crecimiento del CdZnTe. Se  presentan los resultados sobre la forma de la interfase y la velocidad de crecimiento para distintas velocidades de traslación teniendo en cuenta diferentes gradientes de temperatura en el horno.