SIMULACIÓN DEL CRECIMIENTO DEL CdZnTe POR EL MÉTODO DE BRIDGMAN

MARTINEZ NAGY, A.M.; MARIO ROBERTO ROSENBERGER; TRIGUBO, A.B.; SCHVEZOV, C. E.; WALSÖE DE RECA, N.E.

San Nicolás. B.A. Argentina

Congreso; SAM - COnaMET 2007; 2007

Se hace la simulación del crecimiento monocristalino del CdZnTe con el propósito de obtener un mayor conocimiento sobre el proceso de solidificación del sistema lo que permitiría disminuir el número de pruebas experimentales cada una de ellas de costo muy elevado. Se modela el proceso teniendo en cuenta diferentes etapas. En la primera se efectúa una simulación en estado estacionario, en el cual se compara la conveniencia de usar un modelo matemático con un dominio constituído por el horno vertical Bridgman en cuyo interior se encuentra una ampolla de cuarzo de pared simple y se la contrasta con una ampolla de cuarzo de pared doble, en ambos casos vacías. En la segunda etapa se realiza una simulación en estado estacionario donde se considera que la ampolla simple o la interna de la doble cápsula está cargada con materiales en diferentes estados de agregación. Se analiza así la influencia de los estados de agregación en el campo de temperaturas para compararla posteriormente con la de la ampolla vacía en el caso de la simple y doble cápsula. Se estudia la confiabilidad del perfil de temperatura en función del tiempo sobre la pared de la ampolla simple y la interna de la doble dado que se las utilizará en una tercera etapa para simular el crecimiento del semiconductor  en estado  estacionario.