INVESTIGADORES
ROSENBERGER Mario Roberto
congresos y reuniones científicas
Título:
Modelización Numérica del Crecimiento Monocristalino del CdZnTe, Semiconductor Sensible a la Radiación X y Gamma
Autor/es:
MARTINEZ NAGY, A.M.; MARIO ROBERTO ROSENBERGER; TRIGUBO, A.B.; SCHVEZOV, C. E.; WALSÖE DE RECA, N.E.
Lugar:
Merlo. San Luis. Argentina.
Reunión:
Congreso; 91º Reunión Nacional de Física, Asoc. Física Arg; 2006
Institución organizadora:
Asociación Física Argentina
Resumen:
El semiconductor Cd(1-y)Zn(y)Te
(0<y<0,2) se sintetiza en lingotes
monocristalinos por el método de Bridgman. Éste consiste en la solidificación
fraccionada de la aleación, previamente fundida, al pasar por
un gradiente de temperatura. Es
necesario obtener este semiconductor con
la suficiente calidad estructural y
eléctrica como paraque pueda utilizarse en detectores de rayos x y gamma y como
sustratos ordenadores para películas
epitaxiales aptos para
la detección de la radiación IR:
Hg(1-x)Cd(x)Te
,Hg(1-x-y)Cd(x)Zn(y)Te .
La modelización numérica de la solidificación de los
monocristales mediante el empleo de Elementos Finitos
permite conocer mejor qué parámetros se pueden controlar
en el proceso de manera de obtener la estructura del cristal
deseada, con la menor cantidad de
defectos microestructurales. Este método permite efectuar un menornúmero de pruebas experimentales, lo que implica un menor
costo y tiempo. Los resultados de la
caracterización de los lingotes
comparados con las predicciones del modelo permiten variar las condiciones de crecimiento.
Las condiciones de contorno
del horno, o sea la temperatura sobre sus paredes
(tubo cilíndrico
de alúmina) permite realizar la simulación. Las temperaturas medidassobre el eje del horno permiten efectuar
la validación del cálculo. La
sensibilidad del método se analiza
empleando diferentes densidades de malla para
comprobar la convergencia del modelo teniendo en
cuenta los mejores resultados con un
tiempo óptimo de cálculo.