Estudio de la oxidación anódica de silicio

BRUNO O. DALLA COSTA; JAVIER A. SCHMIDT; ROBERTO R. KOROPECKI

Huerta Grande, Provincia de Córdoba – Argentina

Otro; 87ª Reunión Nacional de Física – Asociación Física Argentina (AFA); 2002

Asociación Física Argentina (AFA)

Se presentan resultados preliminares de un estudio de oxidación anódica de silicio cristalino y de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H). Se utilizaron muestras de silicio cristalino dopado p, y una solucion electrolítica diluida de tartrato de amonio. Se mantuvo una densidad de corriente de 0,2 mA/cm2 y se adquirió el potencial de la muestra respecto de un electrodo de referencia instalado en un capilar de Lugin. El potencial es una función creciente al principio y con oscilaciones periódicas en una etapa posterior. Estas oscilaciones se interpretan como el resultado de episodios de ruptura de la capa  creciente de oxido denso, debidos al desarrollo de tensiones internas que aumentan con el espesor. Se realizó un estudio en profundidad del perfil de oxido, pOl' espectrometrfa Auger, procesando los datos pOl' medio del analisis de factores. Se encuentran solo dos factores significativos,inares de un estudio de oxidación anódica de silicio cristalino y de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H). Se utilizaron muestras de silicio cristalino dopado p, y una solucion electrolítica diluida de tartrato de amonio. Se mantuvo una densidad de corriente de 0,2 mA/cm2 y se adquirió el potencial de la muestra respecto de un electrodo de referencia instalado en un capilar de Lugin. El potencial es una función creciente al principio y con oscilaciones periódicas en una etapa posterior. Estas oscilaciones se interpretan como el resultado de episodios de ruptura de la capa  creciente de oxido denso, debidos al desarrollo de tensiones internas que aumentan con el espesor. Se realizó un estudio en profundidad del perfil de oxido, pOl' espectrometrfa Auger, procesando los datos pOl' medio del analisis de factores. Se encuentran solo dos factores significativos,, uno de ellos correspondiente al silicio puro y el otro al oxido de silicio modificado pOl'el bombardeo ionico. El perfil de oxido es homogeneo, no observandose variaciones correlacionadas con las oscilaciones del potencial. Se nresentan tambien resultados obtenidos sobre pelfct:las delgadas de a-Si:H dop9-dascon fosforo.e ellos correspondiente al silicio puro y el otro al oxido de silicio modificado pOl'el bombardeo ionico. El perfil de oxido es homogeneo, no observandose variaciones correlacionadas con las oscilaciones del potencial. Se nresentan tambien resultados obtenidos sobre pelfct:las delgadas de a-Si:H dop9-dascon fosforo.