INVESTIGADORES
ALDAO celso Manuel
congresos y reuniones científicas
Título:
Vacancy Creation as the Rate Limiting Step in Halogen Etching of Si(100)-2x1
Autor/es:
K. NAKAYAMA, C.M. ALDAO, Y J.H. WEAVER
Lugar:
Baltimore, Maryland
Reunión:
Simposio; American Vacuum Society 45th National Vacuum Symposium; 1998
Institución organizadora:
American Vacuum Society
