INVESTIGADORES
ALDAO celso Manuel
congresos y reuniones científicas
Título:
Aplicación de la ecuación de Mott-Schottky en semiconductores policristalinos
Autor/es:
F. SCHIPANI, M.A. PONCE, Y C.M. ALDAO
Lugar:
Montevideo
Reunión:
Congreso; Segunda Reunión Conjunta Sociedad Uruguaya de Física - Asociación Física Argentina (SUF-AFA); 2011
Resumen:
En este trabajo examinamos el comportamiento capacitivo de barreras de Schottky dobles, que regularmente se encuentran en semiconductores policristalinos. Encontramos que la versión regularmente utilizada de la ecuación de Mott-Schottky puede conducir a errores significativos. Aun cuando nos encontremos ante barreras con un fuerte pinning y en ausencia de niveles profundos, mostramos que la ecuación de Mott-Schottky puede resultar inadecuada y, consecuentemente, dar lugar a grandes errores que se originan en la manera cómo la tensión aplicada se distribuye entre las barreras. Experimentos llevados a cabo con óxido de zincpolicristalino corroboran las tendencias predichas por nuestro modelo.
