Dispositivos fotónicos integrados basados en semiconductores III-V

PALUMBO S.; BENITES J.; PRADO, A.; LOPEZ M.; ALARCÓN, LEONARDO SALAZAR; PEREZ-MORELO, D.J.

Bahia Blanca

Congreso; RAFA 2023; 2023

Asociacion de Fisica Argentina

Los dispositivos fotónicos basados en semiconductores del grupo III-V de la tabla periódica tales como GaAs y sus aleaciones ternarias con aluminio se presentan como una alternativa interesante al ampliamente utilizado Silicon-on-Insulator (SOI). Si bien una de las características más importante de los dispositivos basados en SOI es el contraste en el índice de refracción de sus capas, los dispositivos basados en materiales III-V permiten una ingeniería precisa de sus capas y del gap semiconductor, específicamente se pueden realizar multicapas de varias películas cristalinas que tengan propiedades ópticas, eléctricas, mecánicas y de micro-fabricación particulares. Este trabajo se enfoca en la fabricación y caracterización de guías de onda y discos resonadores semiconductores en heteroestructuras de GaAs/AlGaAs utilizando litografía óptica UV y comidos químicos. Estudiamos en particular las características de un comido químico con comportamiento típico de un régimen limitado por difusión que permite definir paredes suaves y regulares en los dispositivos. Se realizaron además simulaciones de elementos finitos para las geometrías fabricadas y se exploró cómo se propaga la luz en las distintas geometrías y longitudes de onda. Finalmente, se utilizaron lensed fibers para acoplar/detectar luz a través de la guía de onda fabricada.