Dispositivos basados en semiconductores III-V

ALARCÓN, LEONARDO SALAZAR; A. PRADO; ANGUIANO, S.; L. TOSI; GUILLERMO ROZAS; H. PASTORIZA; GONZALEZ, M.

Bariloche

Conferencia; RAFA 2022; 2022

Asociacion de Fisica Argentina

La reciente instalación y puesta en marcha de un equipo de Epitaxia por HacesMoleculares (MBE, por sus siglas en inglés) para elementos III-V en la Sala Limpia del Centro Atómico Bariloche (CAB) ha dado lugar a una multitud de proyectos que involucran distintos grupos y objetivos. Actualmente se cuenta con la capacidad de crecer y caracterizar [1,2] heteroestructuras epitaxiales compuestas por capas de AlxGa1-xAs, dopadas tanto con Silicio (tipo n) como con Berilio (tipo p). La modulación de la composición de las capas de AlxGa1-xAs posibilita una ingeniería de las propiedades ópticas y electrónicas de las estructuras, dada la fuerte dependencia de la banda prohibida con la composición. El crecimiento de estructuras altamente epitaxiales, prácticamente sin contaminantes y con un alto control de espesores, composición y dopaje posibilita la fabricación de, por ejemplo, pozos cuánticos, gases bidimensiona-les (2DEG), reectores de Bragg (DBRs), cavidades ópticas y diodos. En esta charla se expondrán las características generales del MBE instalado en la Sala Limpia del CAB, para luego discutir los principales proyectos en los que se está trabajando. Estos incluyen el crecimiento de un láser de cascada cuántica (QCL), dispositivos emisores y receptores que operan en el rango de los THz [3], la fabricación de sensores a partir de dispositivos MEMs de AlxGa1-xAs [4], el crecimiento de celdas solares [5] y detectores de radiación ionizante, entre otros. En el último año también se ha incursionado en el crecimiento de muestras con Indio (sistema InxGa1-xAs / InxAl1-xAs sobre InP) con perspectivas de fabricación de amplicadores criogénicos que operen en el límite del ruido permitido por la mecánica cuántica.