SÍNTESIS Y CARACTERIZACIÓN DE CAPAS COMPACTAS DE ZnO ELECTRODEPOSITADAS SOBRE ITO "

VÁZQUEZ CECILIA I. ; ROVASIO VALENTINA ANDREA; IGLESIAS RODRIGO A.; BARUZZI ANA MARÍA

La Plata

Congreso; XXI CAFQUI. Congreso Argentino de Fisicoquímica y Química Inorgánica - La Plata 2021; 2021

Universidad Nacional de La Plata

Existe un gran interés en el desarrollo y optimización de materiales semiconductores para su aplicación en la fabricación dispositivos optoelectrónicos, tales como celdas solares, diodos emisores de luz, fotodetectores, etc. En particular, el ZnO es un material muy interesante, ya que es un semiconductor directo tipo-n natural (posee un bang gap de 3,37eV) y es biológicamente compatible, por lo que su uso no genera residuos altamente tóxicos para el medio ambiente.El objetivo de este trabajo es el estudio y la caracterización de capas compactas de ZnO electrodepositadas bajo diferentes condiciones experimentales. Se realizó la electrodeposición galvanostática de ZnO sobre ITO mediante diferentes programas de pulsos múltiples de corriente a partir de soluciones de Zn(NO3)2 0,1M a 70ºC. Se caracterizó el sistema mediante microscopía electrónica de barrido,difracción de rayos X, espectros de absorbancia UV-Vis, voltamperometría cíclica y se realizaron algunas mediciones espectroelectroquímicas (cambio en el espectro de absorbancia del ZnO a diferentes potenciales catódicos) y a partir del modelo de Burstein-Moss fue posible calcular el número de transportadores de carga inyectados en el semiconductor. La morfología del ZnO cambia dependiendo el tiempo y la densidad de corriente de deposición utilizada. A partir de los patrones de difracción se pudo determinar que las capas son de ZnO tipo wurtzita. Además, a partir de los espectros de absorción UV-Vis se determinó el band-gap óptico del semiconductor. En la respuesta espectroelectroquímica, fue posible observar el fenómeno de Burstein-Moss y que la magnitud del cambio de absorbancia depende de las condiciones de síntesis del ZnO y del potencial aplicado.