Efecto de las vacancias de Bi en la interfaz entre BaBiO3 e YSZ: propiedades electrónicas y de transporte

W. ROMAN ACEVEDO; S. DI NAPOLI; F. ROMANO; G. RODRIGUEZ RUIZ; V. VILDOSOLA; D. RUBI

Congreso; 105ª Reunión Nacional del la Asociación Física Argentina; 2020

Asociación Física Argentina

BaBiO3 posee una estructura de tipo Perovkita con orden de carga de tipo Peierls, famosa por sus propiedades superconductoras tras el dopaje con K y Pb. Se presenta el estudio de propiedades electrónicas y de trasporte de BaBiO3 en su configuración de perovkita con fuertes deficiencias en Bi. Mostramos que es posible sintetizar films delgados de BaBiO3 con vacancias en Bi de hasta 8-10% depositando un film delgado superior de Zirconia estabilizada con Ytrio. Combinando mediciones de transporte con cálculos ab initio  proponemos un escenario donde las vacancias de Bi dan origen a la formación de polarones, y sugerimos que las propiedades de transporte eléctrico están dominadas por la migración de estos polarones atrapados en los sitios Bi3+. Nuestro trabajo muestra que la ingeniería de vacancias catiónicas -muy poco explorada actualmente- aparece como un camino prometedor para acondicionar las propiedades electrónicas y funcionales de las perovskitas.