Efecto Hall de Espín en bicapas metálicas

EDORNA, FLORENCIA; NOTENSON, TOMAS; LOPEZ PEDROSO AGUSTIN; STEREN LAURA; DI DONATO ANDRES

Santa Fe

Congreso; Reunión de la Asociación Física Argentina.; 2019

Asociación Física Argentina.

Los dispositivos electrónicos convencionales usan la carga eléctrica de los electronespara transportar y almacenar datos. Debido al constante crecimiento de lademanda de potencia, velocidad y procesamiento de datos de las nuevas tecnologías,estos dispositivos están llegando a su limite tecnológico debido al calentamiento porefecto Joule. Una posible solución a este problema es el transporte de momento angularmediante corrientes de espín en contraste con las corrientes de carga, ya quetienen menos disipación por efecto Joule [3] y por lo tanto,tienen menos restricciones.El campo que investiga la formación y la manipulación de estas corrientes de espín,así como también como combinarlas con las corrientes de carga, es denominado espintrónica [6]. En particular la conversión de corrientes de carga en corrientes de espínvía Efecto Hall de Espín (SHE por sus siglas en ingles) y viceversa vía el Efecto Hall deEspín Inverso (ISHE) en conductores paramagnéticos presenta excelentes perspectivaspara la fabricacion de dispositivos, por ej. transistores de espín [5]. Nuestro equipose encuentra trabajando en el estudio de las caracteristicas fundamentales del SHEy el ISHE en bicapas ferromagnetico/no-magnetico (FM/NM), en particular en estetrabajo presentamos un estudio realizado sobre estructuras de tipo Co90Fe10/Ta crecidassobre MgO (100) y Si (100). Se realizaron estudios de la dependencia angular dela magnetorresistencia para dichas bicapas, analizando las contribuciones del EfectoHall de Espín y magnetoresistencia anisotrópica.[1] Mariano Ruben Cababie -Magnetoresistencia Hall de espín en bicapas metálicas.Tesis de Licenciatura en Ciencias Físicas - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales- Universidad de Buenos Aires. Marzo 2018 [2] Intels Tick-Tack-Modell, url:https://www.intel.de/content/www/de/de/silicon-innovations/intel-tick-tock-modelgeneral.html. [3] S. Meyer, Spin Caloritronics in FerromagnetNormal Metal HybridStructures, PhD thesis (Technische Universitat Munchen 2015). [4] M. Althammer,Spintransport-phenomena in metals, semiconductors, and insulators, PhD thesis (TechnischeUniversitat Munchen 2012). [5] W. Thomson,On the Electro-Dynamic Qualitiesof Metals: Eects of Magnetization on the Electric Conductivity of Nickel and ofIron, Proceedings of the Royal Society of London 8, 546 (1857). [6] S. A. Wolf, D.D. Awschalom, R. A. Buhrman, J. M. Daughton, S. von Molnar, M. L. Roukes, A.Y.Chtchelkanova and D. M. Treger, Spintronics: A Spin-Based Electronics Vision forthe Future, Science 294, 1488 (2001)