Fabricación y caracterización de microdispositivos de memoria por cambio de fase en aleaciones del sistema Ge-Sb-Te

J. A. ROCCA; M. BARELLA; F. GOLMAR; M. A. UREÑA; M. FONTANA

San Miguel de Tucumán, Tucumán

Congreso; 101a Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina; 2016

p { margin-bottom: 0.25cm; line-height: 120%; }Elsistema Ge-Sb-Te, entre otros basados en calcógenos, se ha estudiadoampliamente para la fabricación de medios de almacenamiento ópticoy, más recientemente, de sistemas de memoria persistente de estadosólido. La clave de estas aplicaciones se basa en el cambioapreciable de las propiedades físicas de aleaciones de este sistemaante la transformación estructural entre los estados amorfo ycristalino (por ej. conductividad eléctrica o índice derefracción).Entrabajos previos, se ha caracterizado la estructura y laconductividad eléctrica en función de las transformaciones de faseque ocurren con el aumento de temperatura en películas delgadas concomposiciones Ge13Sb5Te82,Ge2Sb2Te5,Ge1Sb2Te4, Ge1Sb4Te7y Sb70Te30.En el presente trabajo, con el fin de estudiar la respuesta de estasaleaciones a estímulos eléctricos, se prepararon dispositivos portécnicas de microfabricación. Se obtuvieron configuraciones tipocrossbar (Metal-Calcogenuro-Metal). Las tres etapas se definieron porfotolitografía. Los contactos metálicos se depositaron porsputtering y las regiones de calcogenuro por láser pulsado (PLD). Semidió la resistencia eléctrica que presentaban los dispositivos através de sucesivas excitaciones con pulsos controlados de tensióno corriente.[1]Rocca, J., Fontana, M., & Arcondo, B. (2012). Simulation ofnon-volatile memory cell using chalcogenide glassesdoi:10.1016/j.jallcom.2012.01.052p { margin-bottom: 0.25cm; line-height: 120%;El sistema Ge-Sb-Te, entre otros basados en calcógenos, se ha estudiadoampliamente para la fabricación de medios de almacenamiento ópticoy, más recientemente, de sistemas de memoria persistente de estadosólido. La clave de estas aplicaciones se basa en el cambioapreciable de las propiedades físicas de aleaciones de este sistemaante la transformación estructural entre los estados amorfo ycristalino (por ej. conductividad eléctrica o índice derefracción)En trabajos previos, se ha caracterizado la estructura y laconductividad eléctrica en función de las transformaciones de faseque ocurren con el aumento de temperatura en películas delgadas concomposiciones Ge13Sb5Te82,Ge2Sb2Te5,Ge1Sb2Te4, Ge1Sb4Te7y Sb70Te30.En el presente trabajo, con el fin de estudiar la respuesta de estasaleaciones a estímulos eléctricos, se prepararon dispositivos portécnicas de microfabricación. Se obtuvieron configuraciones tipocrossbar (Metal-Calcogenuro-Metal). Las tres etapas se definieron porfotolitografía. Los contactos metálicos se depositaron porsputtering y las regiones de calcogenuro por láser pulsado (PLD). Semidió la resistencia eléctrica que presentaban los dispositivos através de sucesivas excitaciones con pulsos controlados de tensióno corrient