Memorias no-volátiles empleando vidrios calcogenuros

ROCCA JAVIER ALEJANDRO; FONTANA MARCELO; GOLMAR FEDERICO; UREÑA, MARÍA ANDREA

Investigación, vinculación y transferencia 2019 - AÑO 2

SUBSECRETARÍA DE INVESTIGACIÓN Y DOCTORADO FACULTAD DE INGENIERIA UNIVERSIDAD DE BUENOS AIRES

Lugar: Ciudad Autónoma de Buenos Aires; Año: 2019; p. 164 - 170

Las memorias de cambio de fase (PCM) son memorias electrónicas no volátiles que utilizanvidrios calcogenuros como material sensible, basando su funcionamiento en la capacidadde los mismos para conmutar, en forma reversible entre dos estados, amorfo y cristalino.Mediante estímulos eléctricos sobre una celda del material se puede tanto inducir laconmutación entre estados, como distinguirlos, es decir, escribir y leer datos binarios.Su estudio ha cobrado relevancia por la potencialidad para aventajar a tecnologías dealmacenamiento en dispositivos electrónicos de consumo masivo, como las memorias flash(basada en transistores MOS), en términos de velocidades de lectura y escritura, tiemposde retención de datos, y consumo energético. También son promisorias en aplicacionesespecíficas que requieren mejorar el rendimiento del acceso a memoria y en aquellas querequieren operar en ambientes hostiles, de interés en las industrias militar y aeroespacial.El objetivo científico del trabajo de tesis es profundizar el conocimiento en esta temáticaestudiando nuevos materiales, sus propiedades estructurales, térmicas y de transporteeléctrico. En vistas a su aplicación en el almacenamiento de información, el aportetecnológico consiste en el diseño, construcción y optimización por técnicas demicrofabricación de prototipos de celdas de memoria del tipo PCM.