Dependencia temporal de la corriente en silicio nanoporoso autosostenido

OSCAR ALONSO MARIN RAMIREZ; DAVID COMEDI; ROBERTO KOROPECKI

Malarg¨ue

Congreso; 95a Reunion Nacional de Fısica; 2010

Se estudi´o la dependencia temporal de la corriente en silicio nanoporoso para distintos valores de voltaje, por medio de curvas corriente vs. tiempo (I-t) y corriente vs. Voltaje (I-V). Las muestras, fabricadas por anodizado electroqu´ımico sobre sustratos de silicio monocristalino tipo p con resistividad 1-4 m cm, fueron separadas de sus sustrato usando un pulso de corriente de electropulido y transferidas sobre sustratos de vidrio, sobre los cuales previamente se depositaron electrodos de aluminio distanciados 20 μm. Las medidas se realizaron a oscuras y a una presi´on de 1x10−5 torr. Las curvas I-V evidenciaron un comportamiento ´ohmico para V 0,4 V, un r´egimen de corriente limitada por carga espacial (SCLC) para 0.4 V < V < 1.0V y tipo Schottky para V > 1V. Para V < 0.4V, la corriente crece a partir del momento en que se aplica la tensi´on hasta un tiempo t1(V ), siguiendo una ley exponencial. Para t > t1 (V) la corriente disminuye siguiendo una ley de potencia de la que finalmente se aparta para saturar. Para V > 0.4V el efecto de disminuci´on de la corriente desaparece. Al llevar el voltaje a cero, la corriente mostr´o un decaimiento abrupto, con cambio de signo para despu´es subir al valor base. Esto se observo para todos los valores de voltaje. Se busca correlacionar esta fenomenolog´ıa con efectos de localizaci´on debido al desorden en el material nanoestructurado.