Poder termoeléctrico de microhilos de ZnO hidrogenados

ZAMORA, DARÍO JAVIER; BRIDOUX, GERMÁN; MEYER, MARCOS; FERREYRA, JORGE MANUEL; VILLAFUERTE, MANUEL JOSÉ; PÉREZ DE HELUANI, SILVIA; JAIME, MARCELO

Merlo, San Luis

Congreso; 100° Reunión Nacional de Física de la Asociación de Física Argentina; 2015

Asociación de Física Argentina

El ZnO es considerado como un material promisorio para aplicaciones en espintrónica, biomedicina y en especial optoelectrónica [1], para lo cual es clave contar con ZnO tipo p y junturas p-n de alta calidad. El estudio de los sistemas en baja dimensionalidad permite amplificar los efectos superficiales en las propiedades físicas de los mismos. Debido a que se estima que la mayor parte de los defectos se segregan hacia la superficie, donde se producirían los nuevos efectos [2,3]. Sin embargo, el estudio de transporte de los microhilos presenta el problema que no es posible la medición del efecto Hall por su geometría, es así que, una alternativa para la medición del tipo y de densidad de portadores es el poder termoeléctrico. El signo del coeficiente Seebeck determina el tipo de portadores del material, que son electrones si S0. A su vez la medición del poder termoeléctrico a distintas temperaturas nos da información de la densidad de los portadores, a través de la relación de Mott [4-6]. En este trabajo se fabricaron microhilos de ZnO mediante el proceso carbotérmico y se doparon con hidrógeno en un proceso de difusión controlando presión y temperatura. Se diseñó y construyó un dispositivo para la medición del poder termoeléctrico de un microhilo individual. Se midió el poder termoeléctrico en función de la temperatura de un microhilo de ZnO hidrogenado a oscuras e iluminando la muestra con 370nm, correspondiente a la energía del gap.