Efecto Hall an´omalo en MnAs: Contribuci´on intr´ınseca debida a la curvatura de Berry

M. TORTAROLO; C. HELMAN; A. CAMJAYI

Virtual

Conferencia; RAFA 2021; 2021

Asociación Física Argentina

Presentamos un estudio te´orico y experimental sobre el efecto Hall an´omalo (EHA) en capas epitaxiales de MnAs crecidas sobre GaAs, con el objetivo de identificar la contribuci´on intr´ınseca al EHA, que puede ser evaluada usando m´etodos de c´alculo de estructura electr´onica ab initio. Nuestras mediciones de magneto transporte muestran un comportamiento cuadr´atico de la resistividad Hall con la resistividad longitudinal, caracter´ıstica delos procesos independientes de scattering, lo que permite la comparaci´on con c´alculos ab initio. La contribuci´on debida a la curvatura de Berry calculada est´a cuantitativamente en acuerdo con el EHA medido en estas capas epitaxiales. Adem´as, la dependencia anisotr´opica del EHA observada en los experimentos es bien reproducida por los c´alculos