INVESTIGADORES
TORTAROLO Marina Del Carmen
congresos y reuniones científicas
Título:
Efecto Hall anómalo en MnAs: Contribución intrínseca debida a la curvatura de Berry
Autor/es:
C.HELMAN; A. CAMJAYI; E. ISLAM; M. AKABORI; L. THEVENARD; C. GOURDON; MARINA TORTAROLO
Lugar:
Ciudad Autónoma de Buenos Aires
Reunión:
Workshop; RINN 2021; 2021
Institución organizadora:
Instituto de Nanociencia y Nanotecnología CONICET-CNEA
Resumen:
Presentamos un estudio teórico y experimental sobre el efecto Hall anómalo (EHA) encapas epitaxiales de MnAs crecidas sobre GaAs, con el objetivo de identificar la contribuciónintrínseca al EHA, que puede ser evaluada usando métodos de cálculo de estructuraelectrónica ab initio. Nuestras mediciones de magneto transporte muestran uncomportamiento cuadrático de la resistividad Hall con la resistividad longitudinal,característica de los procesos independientes de scattering, lo que permite la comparación concálculos ab initio. La contribución debida a la curvatura de Berry calculada estácuantitativamente en acuerdo con el EHA medido en estas capas epitaxiales. Además, ladependencia anisotrópica del EHA observada en los experimentos es bien reproducida por loscálculos.
