Caracterización mediante espectroscopía de impedancia de dispositivos fotovoltaicos de nanohilos de GaAs con juntura p-n radial

CLAUDIA SANDOVAL; JORGE CARAM; M. TIRADO; M. COMEDI; JOSEF CZABAN; R. R. LAPIERRE

Rosario, Santa Fé

Congreso; 94º Reunión Nacional de Física; 2009

Asociación de Física Argentina

El empleo de nanohilos semiconductores en la fabricación de dispositivos fotovoltaicos para celdas solares tiene grandes ventajas ya que estos dispositivos son potencialmente más eficientes para la conversión de energía que los dispositivos convencionales que usan láminas delgadas y además, cuentan con el agregado de que son de bajo costo para su fabricación. Nuestro trabajo se enfoca en el estudio de nanohilos de GaAs crecidos mediante las técnicas de haz molecular epitaxial combinada con la de vapor-líquido-sólido {Czaban, et al, Nanolett. 9, 148, 2009}. Los nanohilos están formados por una juntura p-n radial cuyo centro está dopado con Te (tipo n) y su corteza con Be (tipo p). Se estudiaron dos tipos de muestras en las que se usaron diferentes tiempos de crecimiento de la región dopada con Te durante la fabricación de los nanohilos. Las mediciones de espectroscopia de impedancia se realizaron usando un impedancímetro HP 4192A en el rango de frecuencias de 10^3 a 10^7 Hz para diferentes voltajes DC. En ambas muestras, las gráficas en el plano complejo de los datos experimentales de la impedancia describen semicírculos que pueden ajustarse aproximadamente a funciones de Cole-Cole y por lo tanto ambas estructuras pueden representarse mediante circuitos equivalentes formados por una capacidad Cp y una conductancia Gp en paralelo. A partir del análisis del comportamiento de Cp y Gp se discutirán diferentes mecanismos de transporte electrónico y de relajación dieléctrica presentes en ambas muestras.