Nanohilos de semiconductores por catalizador metálico y estudio por espectroscopía de impedancia

CLAUDIA SANDOVAL; JORGE CARAM; G. GONZALEZ; M. TIRADO; DAVID COMEDI

Buenos Aires

Congreso; 93ª Reunión Nacional de Física; 2008

Asociación de Física Argentina

Los nanohilos de semiconductores son considerados como promisores elementos básicos para desarrollar aplicaciones en nanotecnología. Tanto una preparación controlada de los nanohilos, así como también una buena caracterización de los mismos, son requisitos imprescindibles para futuras aplicaciones específicas. En este trabajo se presentan los primeros nanohilos de semiconductores obtenidos en Tucumán, los que se lograron mediante el método de transporte de vapor asistido por catalizador metálico, utilizando un horno tubular horizontal de cuarzo en donde se hizo circular Ar de alta pureza. Mediante la estabilización del flujo del gas y de las temperaturas en los puntos en donde se encontraban un crisol de alúmina con una mezcla de polvos de grafito y ZnO y los sustratos, se lograron nanohilos de ZnO sobre sustratos de dióxido de silicio térmico con nanoclusters de Au. Las imágenes obtenidas con SEM y EDX muestran nanohilos de ZnO orientados al azar, con tamaños que van de 10 a 100 nm de diámetro y de 1 a 3 micras de longitud, según la temperatura de formación de los mismos. Debido al pequeño tamaño de los nanohilos y a la diversidad de configuraciones electrónicas que pueden adquirir, es importante desarrollar y aplicar diferentes técnicas experimentales para su estudio. Presentamos mediciones de espectroscopía de impedancia en el rango de 103 a 107 Hz, realizadas en nanohilos de GaAs tipo n sobre Si con nanoclusters catalizadores de Au, verticalmente ordenados y embebidos en un polímero aislante [1], en función de la polarización inversa y su interpretación con base a modelos de estructura electrónica de los nanohilos. [1] M. Plante and R. LaPierre, J. Cryst. Growth 286 (2006) 394.