Dependencia con el espesor de las propiedades fotoconductoras de películas delgadas de ZnO

C. A. FIGUEROA; M. VILLAFUERTE; G. BRIDOUX; FERREYRA, J.M.; B. STRAUBE; J. GUIMPEL; G. NIEVA; S. P. HELUANI

La Plata

Congreso; 102ª REUNIÓN de la ASOCIACIÓN FÍSICA ARGENTINA; 2017

El ZnO es un candidato prometedor para su integración en dispositivos optoelectrónicos y aplicaciones en microelectrónica debido a su alta energía de ligadura de excitón (60 meV). El ZnO tiene una banda prohibida amplia ( Eg=3,37eV), es un semiconductor tipo n, y una tendencia natural para formar películas policristalinas de buena calidad incluso depositada a temperatura ambiente. En este trabajo, se fabricaron películas delgadas de ZnO por la técnica de ablación láser sobre substratos de zafiro de espesores entre 20 nm y 140 nm. Utilizando difracción de rayos-X se verificó que los films crecieron en forma epitaxial.Se estudió la respuesta fotoconductora dependiente del tiempo para una longitud de onda de 370 nm (UV) y se realizaron espectros de excitación de fotorresistencia en un rango entre 250 nm y 650 nm. Se observó una disminución de la fotoconductividad y de los tiempos de relajación así como un corrimiento hacia el rojo del onset de la respuesta espectral al disminuir el espesor de la muestra. En todos los espectros se observó una inflexión a energías cercanas a 3.6 eV por arriba del gap del ZnO.