Fotoconductividad y Fotoluminiscencia en microhilos de ZnO dopados con Litio

D. J. ZAMORA; G. BRIDOUX; M. C. ZAPATA; M. VILLAFUERTE; J. M. FERREYRA; S. P. HELUANI

Tandil

Congreso; 99 Reunión Nacional de Física la Asociación de Física Argentina; 2014

El ZnO es un semiconductor de gap ancho (3.35 eV) con grandes perspectivas de aplicaciones de dispositivos optoelectrónicos. A la fecha se reportaron tanto heterojunturas, como homojunturas a base de ZnO. La disponibilidad de dispositivos ZnO-p es fundamental para la plena realización de las potencialidades del ZnO en aplicaciones tecnológicas bipolares. El litio ha sido considerado como un posible dopante tipo p dado que actúa como impureza sustitucional del Zn y forma niveles aceptores mucho menos profundo que los de los elementos del grupo V.Se presenta la caracterización por Fotoconductividad (FC) y Foltoluminiscencia (FL) de microhilos de ZnO-Li obtenidos por método Carbotérmico [4]. Se estudiaron muestras dopadas con diferentes concentraciones de Li (entre 1% y 7% en masa, nominal), y se comparan con muestras sin dopar. Ambas técnicas de caracterización confirman la presencia del Litio en ZnO, aunque no resulta posible concluir sobre la concentración real del dopante.