Estudio de curvas ID vs VD para distintos VG en transistores de efecto de campo

C. A. FIGUEROA; M. C. ZAPATA; G. BRIDOUX; J. M. FERREYRA; J. GUIMPEL; G. NIEVA; M. VILLAFUERTE

Modalidad Virtual

Congreso; Reunión Nacional de la Asociación de Física Argentina; 2021

Asociación Nacional de Física Argentina

En este trabajo, informamos sobre la fabricación y caracterización de un transistor de efecto de campo (FET) basado en un Bicapa de ZnO / MgO que emplea una configuración de puerta superior. Los patrones de difracción de rayos X muestran que el ZnO resultante y las películas de MgO crecen epitaxialmente con los planos (002) y (111) paralelos a la superficie del sustrato, respectivamente. Se obtienen curvas típicas de corriente-voltaje para diferentes voltajes de puerta aplicados y los resultados están bien ajustados utilizando ecuaciones FET estándar. De estos accesorios, se extrajo una movilidad electrónica de μ = 0,8 cm2/ Vs. obtenido en estrecha concordancia con el valor extraído de las mediciones del efecto Hall. Un voltaje de umbral de VTH = (−34 ± 3) V se obtuvo, valor que se puede explicar por la diferencia de polarización de ambos materiales. La iluminación UV cambia el VTH a VTH = (−43 ± 1) V. Estos hallazgos muestran cómo el intrínseco Las propiedades de los óxidos conductores transparentes (TCO) pueden determinar los parámetros clave de un dispositivo FET.