BECAS
RODRÍGUEZ SOTELO Sindy Julieth
congresos y reuniones científicas
Título:
Estudio de masas efectivas en el SnS en presencia de defectos mediante cálculos DFT-DFPT.
Autor/es:
PAULA BUITRAGO; CARLOS ZANDALAZINI; JORGE NAVARRO; SINDY JULIETH RODRÍGUEZ SOTELO; ALBANESI, EDUARDO ALDO
Lugar:
Santa fe
Reunión:
Congreso; 104ª Reunión de la Asociación Física Argentina; 2019
Institución organizadora:
Instituto de Física del Litoral / AFA
Resumen:
Elsulfuro de estaño (SnS) se identifica por ser un interesanteabsorbente fotovoltaico (FV), dado que presenta alta absorciónóptica (por encima de 1.3 eV), conductividad intrínseca tipop, y concentraciones de portadores adecuadas para absorbentes FVstípicos (1015-1018 ). Sin embargo, en las celdas solares basadas en SnS se ha logrado hasta ahora una baja eficiencia (menos del 2%), porlo cual, el interés actual está en mejorara su eficiencia pero sinperder su capacidad absorbente. Se piensa que entre los métodos máseficientes para ello estaría está el de considerar una bajaconcentración de defectos en el material. Para investigar estaposibilidad, en este trabajo, presentamos una modelización de lamovilidad de portadores de carga en el SnS con la simetríacristalográfica (Aem2)39 se determinó la influencia de los defectospuntuales y estructurales (vacancias y distorsión de red), sobre lasmasas efectivas del sistema; para ello se realizaron los cálculos de la estructura electrónica en el marco de la teoría de la, condiferentes situaciones de defectos. En particular, se determinó lainfluencia de los defectos puntuales y estructurales (vacancias ydistorsión de red), sobres las masas efectivas del sistema. Loscálculos de estructura electrónica se realizaron en el marco de lateoría de la funcional densidad (DFT), implementado en el softwareABINIT, usando el método del proyector de ondas aumentadas (PAW);para los cálculos de masas efectivas, se utilizó la teoría deperturbación de la funcional densidad (DFPT) que ofrece mayorprecisión en el cálculo de la movilidad de portadores.