INVESTIGADORES
VEGA Nadia Celeste
congresos y reuniones científicas
Título:
Crecimiento de films delgados de ZnO mediante técnica SSCVD, a baja temperatura y presión atmosférica
Autor/es:
STRAUBE, B.; VEGA, NADIA CELESTE
Lugar:
San Miguel de Tucumán, Tucumán
Reunión:
Encuentro; Encuentro Científico de Investigadores de la FACET, ECIFACET 2021; 2021
Resumen:
El ZnO, uno de los semiconductores compuestos II-VI más interesantes, ha atraído considerable atención debido a sus excepcionales propiedades físicas, eléctricas y ópticas que le dan a este material un gran desempeño en dispositivos electrónicos, ópticos y fotónicos. Es por ello que en la actualidad existe una gran demanda en el desarrollo de nuevas técnicas de crecimiento para obtener un mejor diseño y performance, y que a la vez su fabricación sea sustentable, con muy bajo impacto ambiental, y con un bajo costo de producción.En este trabajo, informamos la fabricación de películas de ZnO a partir de una nueva y muy simple técnica de deposición de vapor de fuente única, SSCVD (single source chemical vapour deposition), a baja temperatura y presión atmosférica, donde solo se emplea como percursores al acetato de zinc y vapor de agua. En esta propuesta, tanto la fuente de polvo como el sustrato están en la misma zona de temperatura de trabajo (240 ° C), y no es necesario un sistema de vacío para hacer crecer las muestras. Estas características hacen de este nuevo procedimiento una gran opción con ventajas debido a la importante reducción de costes y consumo energético para su desarrollo frente a otras técnicas existentes. Los films que se obtuvieron son cuasi-transparentes, de alta pureza, orientadas en la dirección C (estructura wurzita) y con fotoemisión en el UV. Se estudió la variación de espesor de estos films en función de la distancia fuente-sustrato. Se analizaron las propiedades ópticas y optoeléctricas de las muestras a través de microscopía electrónica de barrido (SEM), difracción de rayos X (XRD), absorción, reflexión, emisión de fotoluminiscencia (PL) y mediciones de conductividad en función de energía de iluminación, indicando el excelente comportamiento de estas películas de ZnO para ser empleadas como electrodos en dispositivos optoelectrónicos.