Ferromagnetismo en películas delgadas de SnO2 y Sn0.9 Fe0.1O2

A. M. MUDARRA NAVARRO, C.E. RODRÍGUEZ TORRES, L. ERRICO, A. F. CABRERA, M. RENTERÍA, F. H. SÁNCHEZ

Merlo-San Luis

Conferencia; 91 Reunión Anual de Física; 2006

Los semiconductores magnéticos diluidos (DMS) obtenidos a partir del dopaje de semiconductores no magnéticos con metales transición han recibido una considerable atención en los últimos años debido a sus potenciales aplicaciones en el campo de la espintrónica y optoelectrónica ya que combinan propiedades de transporte con ferromagnetismo y transparencia en el rango visible. Si bien muchos de estos materiales presentan comportamiento ferromagnético por debajo de 300 K, ferromagnetismo por encima de la temperatura ambiente ha sido reportado en diferentes óxidos, como pueden ser ZnO: Co [2] o Ti1-x Rx O2 [3] o Sn1-x RxO2 (R: Fe, Co, Ni) [4]. Adicionalmente, algunos autores han reportado ferromagnetismo en óxidos puros como TiO2, HfO2 e In2O3 [5] o en óxidos dopados con impuresas no magnéticas. En este trabajo presentamos un estudio de propiedades magnéticas de películas delgadas de SnO2 puras y dopadas con Fe depositadas sobre LaAlO3 (LAO) por Ablación Láser (PLD), para entender el papel del dopante y el origen del ferromagnetismo detectado. Para la interpretación de los resultados experimentales realizamos cálculos ab initio en SnO2 puro, dopado, con y sin vacancias de oxígeno.