El rol del dopaje y vacancias en TeGeX (X=Sb, Sn y vacancias): Estudio de primeros principios

S. LIZETH CHUCCHUCAN G.; V. BILOVOL; L. A. ERRICO; A. M MUDARRA NAVARRO

Encuentro; IX Reunión Anual de Sólidos; 2023

Se haencontrado que materiales calcogenuros basados en Te presentan característicasmuy destacadas para su uso en aplicaciones termoeléctricas. En particular, lo que hace que estos materiales seanrealmente valiosos para aplicaciones tecnológicas es la recurrentetransformación cíclica entre estados de baja y alta resistividad con una altafrecuencia, tal transformación se puede lograr o bienpor pulsos eléctricos u ópticos. Estatransición de fase también afecta drásticamente las propiedades ópticas de estossistemas, realizándose muchos esfuerzos para comprender esta transición defase.En este trabajose estudia las propiedades estructurales, electrónicas y termoeléctricas deTeGeX (X: Sb,Sn con vacancias), mediante métodos de primeros principios basadosen la Teoría de la Funcional Densidad y utilizando el método full potenciallinear augment plane wave (FP-LAPW), en su implementación Wien2K).  Se ha realizado superceldas de diferentetamaño para estudiar en función de la concentración, así como también posiblesconfiguraciones para poder ubicar las impurezas y vacancias en el sistema TeGeX.Los resultados obtenidos serán comparados con los experimentos de difracción derayos-x y espectroscopia Mössbauer, a fin de lograr una mejor caracterizacióndel sistema en estudio considerando diferentes distribuciones de vacancias yconcentraciones de dopaje.