Estudio del comportamiento dinámico de interfases en modelos de crecimiento

J. C. CANDIA; A. IUCCI; E. S. LOSCAR; L. RUBIO-PUZZO; F. RUIZ; E. ALBANO

La Plata, Provincia de Buenos Aires

Congreso; Reuinión Nacional de Física; 1998

Asociación Física Argentina

El estudio de las propiedades estáticas y dinámicas de interfases reviste gran interés en diversos campos de la Física, Química, Biología, etc. En particular, modelos de crecimiento simples tales como deposición balística, cluster de Eden, deposición aleatoria con relajación, etc. están siendo ampliamente utilizados para caracterizar el comportamiento dinámico de interfases en desarrollo. En esta comunicación se presentan resultados obtenidos por medio de simulaciones computacionales, utilizando el método Monte Carlo. El comportamiento del ancho (w) de las interfases se interpreta sobre la base de la teoría de escala dinámica. Es decir, para t ® 0 el ancho de la interfase crece y se verifica que w ~ t^b donde b es el exponente de crecimiento; mientras que para t ® ¥ se observa la saturación del crecimiento, tal que w ~  L^a , donde a es el exponente de rugosidad y L la longitud del sustrato base donde tiene lugar el crecimiento. La teoría de escala dinámica establece que w(L,t) = L^a F(t/Lz), donde z =a/b se conoce como exponente dinámico y F es una función de escala. Los resultados de las simulaciones verifican la teoría de escala dinámica y mediante el colapso de datos, correspondientes a diferentes tamaños de sustratos, se evalúan los exponentes característicos para diversos modelos de crecimiento.