de magnesio dopado con Nb como impureza: Estudio DFT

GASTAÑAGA F. ; C. R. LUNA; M. SANDOVAL; A. JUAN; BRIZUELA, G.; JASEN P.

Bahía Blanca

Congreso; VII Reunión de Nacional de Sólidos; 2017

El MgH2 es considerado un candidato prometedor para almacenamiento de hidrogeno debido a su bajo costo, disponibilidad y no toxicidad. No obstante su energía de activación para la desorción cinética es alta. Una alternativa es la adición de metales de transición (MT). Este hidruro es un semiconductor en el cual los estados que aparecen en el gap con las impurezas lo convierten en buen materialen la llamada ?electrónica de hidruros? [1]. Se realizaron cálculos DFT espín polarizadospara elucidar los cambios en las propiedades físicas y químicas del MgH2 con Nb, usando VASP [2]. El pseudopotencial PAW se usó para la interacción electrón-núcleo, y el funcional PW91 en la aproximación de gradiente generalizado (GGA) para correlación e intercambio. Los resultados muestran que el agregado Nb en MgH2 produce una reducción en el band gap (~ 68 %), e introduce estados dentro del mismo cercanos al Nivel de Fermi. Por otro lado se observa un momento magnético inducido de 2.11 B. De nuestros resultados se puede concluir que el sistema MgH2 + Nb se mejora la disociación de H y conduce a propiedades electrónica muy interesantes desde el punto de vista tecnológico.