Difusión de Co controlada en la nanoescala en matrices de si monocristalino: estudios por HRTEM y GISAXS.

DOS SANTOS CLARO, P.C.; GIOVANETTI, L. J.; MONTORO, L.; RAMÍREZ. A. J. ; ZHANG, L. ; KELLERMANN, G.; CRAIEVICH, A.F.; REQUEJO, F.G.

Campinas

Encuentro; 21ª Reuniao Anual de Usuarios do LNLS; 2011

Debido a sus potenciales aplicaciones para el desarrollo de micro- y nanodispositivos en electrónica, existe un gran interés en el estudio de la formación, estructura y propiedades de siliciuros metálicos. En particular el CoSi2 ha sido ampliamente estudiado por su baja resistencia eléctrica, apropiada para ser incorporado así a dispositivos pequeños. Las muestras estudiadas consisten en películas delgadas de sílica amorfa con- teniendo nanopartículas de Co, soportadas sobre sustratos de Si monocristalino con supercies externas paralelas a las familias de planos cristalográficos (100), (110) y (111). Resultados recientes de GISAXS muestran que luego de someter dichas muestras a un tratamiento térmico se promueve la difusión de Co desde la película de SiO2 hacia el interior del monocristal de Si, formando nanoplacas inser- tas que contienen Co, orientadas en la dirección (111) del monocristal. El análisis cuantitativo de los diagramas de GISAXS permitió la determinación del espesor medio y la dimensión lateral media de la nanoplacas, para las tres orientaciones del monocristal de Si. Por otro lado, mediante el empleo de HRTEM se pudo com- probar la presencia de nanoplacas finas de CoSi2 insertas en el monocristal de Si, orientadas paralelamente a los planos (111), con una estructura coherente con la estructura cristalográfica de la matriz de Si. El conocimiento detallado de la estructura de las nanoplacas de CoSi2, así como también su orientación, morfología y naturaleza de la interfase Si/CoSi2 de forma local y extendida a lo largo de toda la superficie del cristal, obtenido mediante el uso combinado de las técnicas de GISAXS y HRTEM resulta esencial para comprender la formación de CoSi2 durante la difusión de Co en la matriz de Si y entender así sus propiedades de transporte. Acknowledgements: Este trabajo ha sido parcialmente financiado por CONICET (PIP 112-200801-0307), ANPCYT (PAE-PME-2007-00039 y PICT-2008-00038), LNLS (D10A- XRD2 8733 y LME) y FAPESP.