“Electrónica de spin y nanociencia”.

L.B. STEREN

Buenos Aires

Congreso; Reunión Anual de la Asociación de Física Argentina, Buenos Aires 2008.; 2008

<!-- /* Style Definitions */ p.MsoNormal, li.MsoNormal, div.MsoNormal {mso-style-parent:""; margin:0cm; margin-bottom:.0001pt; mso-pagination:widow-orphan; font-size:12.0pt; font-family:"Times New Roman"; mso-fareast-font-family:"Times New Roman";} @page Section1 {size:612.0pt 792.0pt; margin:70.85pt 3.0cm 70.85pt 3.0cm; mso-header-margin:36.0pt; mso-footer-margin:36.0pt; mso-paper-source:0;} div.Section1 {page:Section1;} --> En los últimos años se han realizado avances muy importantes en el área de nanoestructuras magnéticas. Se ha logrado, por ejemplo, confinar artificialmente materiales  a una, dos y hasta tres dimensiones por debajo de los 100nm. Estos desarrollos han  dado lugar al descubrimiento de nuevos fenómenos físicos que, más alla de la motivación puramente fundamental, presentan también un interés tecnologíco. Este es el caso de la espintrónica o electrónica de espin , temática en la que se asocian la carga de los portadores con sus propiedades magnéticas. Contrariamente a la electrónica clásica, donde solo la carga de los portadores juega un rol determinante, en la espintrónica dicha carga y el espín de los portadores están estrechamente relacionados entre sí y son utilizados simultáneamente para obtener dispositivos con nuevas funcionalidades. El fenómeno de magnetorresistencia gigante (GMR) es un ejemplo exitoso en esta temática: apenas diez años separan el descubrimiento del fenómeno de su aplicación generalizada en los cabezales de lectura de los discos magnéticos actualmente comercializados. En esta charla mostraré la evolución de la investigación en el campo de la electrónica de espín en nanoestructuras magnéticas artificiales y presentaré las principales líneas de trabajo de hoy en día en el área.  Introduciré con este último punto las contribuciones de nuestro grupo a la temática.