Procesos de oxidación avanzada, ingenieria catalítica para la remediación ambiental

ANA B. SCHVVAL; GABRIELA F. CABEZA; SILVIA A. FUENTE; CECILIA I. N. MORGADE

Rafaela

Congreso; VII Congreso Bianual PROIMCA V Congreso Bianual PRODECA; 2019

La química computacional es una herramienta eficaz para lapredicción de las propiedades electrónicas de materiales químicamentealterados. La comprensión de cómo diferentes tipos de dopado modifican laspropiedades fotocatalíticas de semiconductores como el TiO2permitiría el desarrollo de nuevos catalizadores para la optimización dereacciones químicas de interés industrial y medioambiental. La presencia deestados aceptores o donores en la estructura electrónica de un semiconductor,producto del dopado, modifican las posiciones relativas del mínimo de la bandade conducción y del máximo de la banda de valencia lo que a su vez se relacionacon sus potenciales de reducción y de oxidación. El conocer cómo cada elementodopante modifica al catalizador permitiría la selección del método de síntesismás adecuado para la catálisis deseada. En este trabajo se presenta un análisisde los desplazamientos relativos de las bandas de valencia y conducción de lospolimorfos más estables del TiO2 (rutilo y anatasa). Se trabajó conun modelo teórico de los polimorfos utilizando el código VASP. Dentro de loselementos metálicos estudiados se encuentran el V, el Fe, la Ag y el Pt, yentre los no metálicos el N, el C y el F. A partir de los resultados obtenidos se puede predecirpara cada reacción química deseada cual sería el elemento dopante más apropiadooptimizando costos en la investigación experimental.