INVESTIGADORES
BARRERA Marcela Patricia
informe técnico
Título:
CAC-PSE-ENV-03400A-IN: Fabricación y caracterización de capacitores MOS para ensayos de daño por radiación
Autor/es:
M.L. IBARRA; M. ALURRALDE (REVISOR); M. BARRERA (REVISOR); J. DURÁN (APROBADO)
Fecha inicio/fin:
2012-01-01/2012-04-10
Naturaleza de la
Producción Tecnológica:
Asostemcoa Tecnológica del Subproyecto Paneles Solares
Campo de Aplicación:
Espacio-Vehiculos y proyectos
Descripción:
Documento Técnico Interno, ConfidencialSe fabricaron y caracterizaron capacitores MOS (Metal Óxido Semiconductor) para estudiar los efectos del daño por radiación sobre la interfaz SiO2-Si.
