Propiedades ópticas y estructurales de películas antirreflectantes nanoestructuradas de TiO2 sobre GaAs

S. SAINT-ANDRÉ; D.F. RODRÍGUEZ; P.M. PERILLO; M.P. BARRERA

San Carlos de Bariloche

Congreso; 18º Congreso Internacional de Metalurgia y Materiales SAM - CONAMET 2018; 2018

El arseniuro de galio (GaAs) es uno de los materiales más utilizados para los semiconductores optoelectrónicos. Se utiliza para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisión infrarroja, diodos láser y celdas fotovoltaicas de alta eficiencia. El elevado índice de refracción de los semiconductores, y en particular el del GaAs, hace imprescindible la utilización de una película antirreflectante (AR) en la superficie frontal a fin de disminuir las pérdidas por reflexión. Se presenta el estudio realizado sobre capas AR consistentes en nanotubos de TiO2 sobre GaAs, la optimización numérica, su fabricación y caracterización.