Elaboración y caracterización de películas antirreflectantes nanoestructuradas para aplicación en celdas solares

G. DEBAIS; J. VILLA; D. RODRÍGUEZ; P. PERILLO; M. BARRERA

San Miguel de Tucumán

Congreso; 101a REUNION ANUAL DE LA ASOCIACIÓN FÍSICA ARGENTINA; 2016

Las celdas solares basadas en semiconductores III-V, tales como GaAs o InGaP, pueden llevar en la cara frontal una multicapa antirreflectante (AR) con la finalidad de maximizar la energía absorbida. Las propiedades AR de las multicapas dieléctricas se basan en el fenómeno óptico de interferencia, como ejemplo de estos materiales se pueden citar TiO2, Al2O3 y ZnS. Por otro lado, se tiene conocimiento de que las películas consistentes en nanotubos de TiO2 depositadas mediante anodizado electroquímico poseen buena adherencia sobre semiconductores. Una de las propiedades ópticas de importancia es que se puede cambiar su nanoestructura modificando los parámetros del anodizado, de manera de obtener distintos índices de refracción. En éste trabajo se depositaron láminas de nanotubos de TiO2, mediante anodizado electroquímico, sobre muestras de silicio y basadas en crecimientos epitaxiales de materiales III−V con el fin de analizar sus propiedades antirreflectantes. Los nanotubos se fabricaron sobre el sustrato, depositando primeramente una película delgada de Ti mediante magnetron sputtering. Posteriormente se realizó el anodizado electroquímico en una solución de glicerol y fluoruro de amonio. Las propiedades ópticas fueron estudiadas mediante reflectometría óptica espectral y elipsometría. Se estudió también la implementación de la capa de nanotubos sobre la fabricación de celdas solares. Los dispositivos se caracterizaron eléctricamente mediante la curva I−V.