Avances en la simulación numérica de celdas solares basadas en materiales III-V

M. BARRERA; F. RUBINELLI; E. GODFRIN; J. PLÁ

Ciudad Autónoma de Buenos Aires

Congreso; 93ª Reunión Anual de la Asociación Física Argentina y XI Reunión de la Sociedad Uruguaya de Física; 2008

Los dispositivos fotovoltaicos basados en semiconductores III-V, debido a su alta eficiencia y resistencia a la radiación, se utilizan como fuente de potencia de satéites y otros vehículos espaciales. En particular, los paneles solares de las próximas misiones satelitales argentinas contar´an con celdas ATJ (Advanced Triple Junction) InGaP/GaAs/Ge fabricadas por la empresa Emcore. Se realizaron simulaciones num´ericas de celdas solares basadas en materiales III-V, estableciéndose para ello una colaboración entre grupos del INTEC y la CNEA.Los cálculos fueron realizados mediante el código DAMPS-1D, el que permite evaluar, entre otras características, las curvas IV bajo iluminación y en oscuridad, la respuesta espectral, la distribución del campo eléctrico en el dispositivo, y la concentración de portadores libres y atrapados.Se estudiaron dispositivos consistentes en homojunturas de InGaP, GaAs y Ge. Tambi´en se presentan los resultados de la interconexi´on en serie entre las subceldas, mediante la suma a corriente constante de la características I-V de cada una, para formar la celda solar de triple juntura InGaP/GaAs/Ge. Estas celdas son del mismo tipo de las que se utilizarán en las próximas misiones satelitales de la CONAE.