Relajación espín-dependiente en microhilos de ZnLiO; un estudio bajo diferentes modelos propuestos

C. I. ZANDALAZINI; M. VILLAFUERTE; M. C. ZAPATA; I. LORITE; P. ESQUINAZI; S. PEREZ DE HELUANI

Villa de Merlo, San Luís

Congreso; 100º Reunión de la Asociación de Física Argentina; 2015

Asociación Física Argentina

Comúnmente, la fotoconductividad persistente se atribuye a los diversos mecanismos de excitación-recombinación que ocurren post-iluminación en sistemas compuestos por determinados semiconductores, y suele describirse como una relajación de dos etapas, esto es, una fuerte caı́da inicial de la fotoconductividad, seguido de un lento declive. Pero aunque este fenómeno ha sido estudiado intensamente en las últimas décadas, no hay actualmente un consenso pleno sobre los procesos subyacentes que rigen la fotoconductividad persistente observada para semiconductores como el ZnO. En este trabajo presentaremos un estudio de las curvas de relajación, de microhilos de ZnO codopados con Li-H, obtenidas a partir de mediciones de ciclos de fotoexcitación-relajación en presencia/ausencia de un campo magnético. Para dicho análisis se consideraron los modelos más utilizados para la descripción este tipo de procesos (Kohlrausch Stretched-Exponential [1], Multi-Exponencial [2], Sheinkman [3]), focalizando nuestro estudio en el modelo fenomenológico propuesto por Moore [4],el cual está basado en un band bending variable de superficie y el transporte de electrones a la interfaz. A partir de nuestros resultados, fue conveniente la implementación de este último modelo, pero al que se le adicionó un término exponencial decreciente, consiguiendo ası́ no sólo una mejor descripción de los fenómenos intervinientes, sino también la capacidad de censar los efectos de la relajación espı́n-dependiente de nuestro sistema de estudio.[1] M. Berberan-Santos, E. Bodunov, B. Valeur, Chem. Phys. 315 (2005) 171.[2] Soci et al., Nano Lett. 7 (2007) 1003.[3] D. Comedi, S. P. Heluani, M. Villafuerte, R. Arce. R. Koropecki, J. Phys.: Condens. Matter. 19 (2007) 486205.[4] J. C. Moore, C. Thompson, Sensors 13 (2013) 9921