Comportamiento eléctrico de sensores de gases de SnO2

J RODRÍGUEZ,; M PONCE,; M CASTRO; C ALDAO

Curitiba

Congreso; 48º Congresso Brasileiro de Ceramica; 2004

Los sensores de gases basados en óxidos semiconductores presentan un cambio en la resistencia cuando son expuestos a ciertas atmósferas gaseosas. Al respecto, se han detectado diferencias en el comportamiento del sensor para distintos tamaños de grano de la películas. En este trabajo se estudia la dependencia de la resistencia eléctrica de los sensores obtenidos a partir de polvos de SnO2 preparados a través del Método de Precipitación Controlada (MPC) utilizando SnCl2 como precursor de estaño y como precipitante hidróxido de amonio. Se analiza el proceso de conducción considerando la existencia de barreras de potencial tipo Schottky en los bordes de grano. Al mismo tiempo se analiza la influencia del proceso de difusión sobre el tiempo de estabilización en la respuesta del sensor al ser expuestos a distintas atmósferas.