INVESTIGADORES
BOSCHAN Alejandro
congresos y reuniones científicas
Título:
Daños por Radiación en Dispositivos MOS
Autor/es:
ADRIAN N. FAIGON; G. REDIN; R. LOMBARDI; FELIX PALUMBO; A. BOSCHAN
Lugar:
Santa Fe
Reunión:
Conferencia; VI Young Researcher Meeting of Montevideo Group; 1998
Institución organizadora:
Asociación de Universidades Grupo Montevideo
Resumen:
En el marco de un estudio sobre daños por radiación en dispositivos electrónicos, se pusieron a prueba distintas técnicas para determinar las modificaciones inducidas por la radiación en el dispositivos. Se realizo en particular un estudio de la movilidad de los portadores en el canal de transistores MOSFET, antes y después de ser irradiados con fuente gamma de 60Co. Se puso a punto un método para determinar la creación de estados de interfaz por la radiación a partir de la medición de la corriente subumbral en transistores. La irradiación se realizo sobre dispositivos MOSFET comerciales con fuente de 60Co con dosis integradas de 1 a 1000Gy.
