Aplicación del modelo de la corriente de subumbral para determinación de estados superficiales rápidos

LOMBARDI R., REDIN G., PALUMBO F., BOSCHAN A., FAIGÓN A.

Anales AFA

Asociación Física Argentina

Lugar: La Plata; Año: 1998 vol. 10 p. 218 - 220

0327-358X

En el marco de un estudio sobre daños por radicación en dispositivos Metal Oxido Semiconductor. Se puso a punto un método para determinar la creación de estados de interfaz por la irradiación. A partir de la medición de la corriente subumbral en transistores y se lo comparó con el método convencional. Los resultados, para irradiaciones con fuente de 60Co con dosis integradas de .1 a 4 kGy. Muestran una dependencia lineal entre el cuadrado del número de nuevos estados creados y la dosis correspondiente. Del análisis de las características capacidad-voltaje. Los estados creados serían del tipo donor.