Estudio de las curvas ID vs VD para distintos VG en transistores de efecto de campo bicapa ZnO/Mg0

ZAPATA, C; GUIMPEL, J.; BRIDOUX, G.; NIEVA, G.; FIGUEROA, C.A.; FERREYRA, J.M.; VILLAFUERTE, M.

Congreso; 106 Reunión de la AFA; 2021

En este trabajo presentamos el estudio de curvas ID (corriente de drenaje) vs VD (tensión de drenaje), para diferentes voltajes de compuerta, aplicados en un transistor de efecto de campo (FET) basado en una bicapa ZnO/Mg0. Este transistor se ha fabricado con un equipo de ablación por láser pulsado (PLD) en el Laboratorio de Física del Sólido (FACET-UNT), empleando la configuración top-gate. El estudio con rayos X demuestra que las capas de ZnO y Mg0 crecieron en forma epitaxial con planos (002) y (111), respectivamente, paralelos a la superficie del sustrato. Las curvas ID vs VD obtenidas, para diferentes voltajes de compuerta, concuerdan con las ecuaciones típicas que describen el comportamiento de los FET. A partir de estas curvas y los ajustes realizados, se encontró una movilidad de portadores = 0,8 cm2/Vs que concuerda con el valor obtenido a partir de mediciones de efecto Hall. También se ha obtenido un voltaje umbral VTH = -34,2 V que se explica por la diferencia de polarización de ambos materiales. Cuando el FET se ilumina con luz ultravioleta (UV), se obtiene un valor menor para el voltaje umbral VTH = -43,8V.Estos hallazgos muestran como las propiedades intrínsecas de óxidos conductores transparentes (TCO?s) pueden determinar los parámetros característicos de un dispositivo FET.