UE-INN   27105
UNIDAD EJECUTORA INSTITUTO DE NANOCIENCIA Y NANOTECNOLOGIA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Manganitas con separación de fases para dispositivos que emulen sinapsis y neuronas
Autor/es:
WILSON STIBENS ROMAN; MARTIN SIRENA; JAVIER BRIÁTICO; RUBI, DIEGO; MIGUEL RENGIFO; U. LUDERS
Lugar:
Buenos Aires
Reunión:
Conferencia; XIX Encuentro "Superficies y Materiales Nanoestructurados 2019?; 2019
Resumen:
Los dispositivos de cómputo neuromórfica pretenden imitar la arquitectura de sistemas biológicos, y se espera que mejoren dramáticamente el rendimiento y la eficiencia de los dispositivos electrónicos, permitiendo el desarrollo de tecnología de información avanzada que incluye el análisis de datos complejos [1]. Las sinapsis cerebrales pueden ser emuladas por los llamados memristores [2], que consisten en estructuras de metal/aislante/metal que presentan una resistencia eléctrica que cambia de manera reversible con la aplicación de estímulos eléctricos, originando dos (o más) estados no volátiles. Por otro lado, se espera que los sistemas que muestran cambios de resistencia volátiles imiten el comportamiento eléctrico de las neuronas [3]. La separación de fases en manganitas a escala mesoscópica surge de la competencia de interacciones ferromagnéticas y antiferromagnéticas [4]. El equilibrio entre las fases ferromagnética/metálica y antiferromagnética/aislante se puede controlar mediante la temperatura y el campo magnético externo [5]. En este trabajo se reporta la fabricación y caracterización de dispositivos basados en films delgados epitaxiales y policristalinos de la manganita con separación de fases La1/2Ca1/2MnO3, donde el objetivo final es la obtención de cambios de resistencia volátil y no volátil en un mismo sistema a partir de la modificación controlada del balance entre ambas fases. [1] S. Yu, Neuro-inspiring computing using resistive synaptic devices, Springer International Publishing (2017)[2] D. Ielmini and W. Waser, Resistive Switching From Fundamentals of Nanoionic Redox Processes to Memristive Device Applications, Wiley-VCH (2016) [3] E. Janod et al., Adv. Mater. 25, 6287 (2015)[4] P. Radaelli, Phys. Rev. B 55 (1999) 3015.[5] P. Levy, F. Parisi, G. Polla, D. Vega, G. Leyva, H. Lanza, R. Freitas, L. Ghivelder, Phys. Rev. B 62, 6437 (2000)