Transistores de efecto de campo de grafeno usando dióxido de titanio como dieléctrico

LAURA N. SERKOVIC LOLI

Encuentro; Encuentro Anual 2020 del Instituto de Nanociencia y Nanotecnología; 2020

La importancia de encontrar un buen sustrato para usar elgrafeno en dispositivos electrónicos es de suma importancia. En este trabajoestudiamos la movilidad y la densidad electrónica de un transistor de efecto decampo de grafeno sobre una película delgada de 280 nm de TiO2 y un canal degrafeno de área de 300×300 µm2. Obtuvimos movilidades de hasta 1877 cm2/Vs y elpunto de Dirac aparece en voltajes de compuerta pequeños, lo cual es muypositivo porque se necesita un menor campo eléctrico para observar el efecto deambipolaridad registrado en GFETs. También obtuvimos la rugosidad de lasuperficie de TiO2 mediante perfilometría y confirmamos que la movilidadeléctrica es inversamente proporcional a la rugosidad de la superficie.