Caracterización de películas 2D mediante espectroscopía de átomos emitidos usando técnicas de tiempo de vuelo (TOF-DRS): complemento a técnicas estándar de física de superficies

E.A. MARTÍNEZ; E.A. SANCHEZ; L.N. SERKOVIC-LOLI; O. GRIZZI; E.D. CANTERO; J. D. FUHR

Buenos Aires

Encuentro; https://sites.google.com/view/caracterizar2020/; 2020

La fabricación o crecimiento de películas bidimensionaleses un tema de alto interés actual, no sólo por las propiedades fundamentales deestos materiales sino también por sus potenciales aplicaciones en variados campos, desde optoelectrónica hasta biomedicina. En este trabajo se presentarán resultados sobre elcrecimiento de películas ultra-delgadas de Ge y Sb con espesores que van desdela submonocapa hasta algunas pocas capas atómicas, sobre sustratosmonocristalinos de Au(111), Ag(111) y Al(111). Las películas se fabricaron pormedio de crecimiento epitaxial, y la caracterización cristalográfica estuvoparticularmente centrada en analizar la influencia y posible presencia deátomos del sustrato en la formación de las mismas. La técnica de espectroscopíade átomos emitidos usando técnicas de tiempo de vuelo (TOF-DRS), con proyectilesAr, Ne y Kr de algunos keV de energía resulta particularmente útil para caracterizarfilms de tan bajos espesores debido a su altísima sensibilidad a la última capaatómica del material y al ordenamiento cristalográfico de la misma. Además depresentar la técnica TOF-DRS, se incluirán mediciones de patrones de difracciónde electrones de baja energía (LEED), espectroscopía fotoelectrónica de rayos X(XPS) y microscopía de efecto túnel (STM). Las mismas son analizadas mediante cálculosy simulaciones numéricas de efectos de sombra y bloqueo para las trayectoriasde los átomos emitidos, simulación de curvas I-V de los patrones LEED ycálculos de teoría de funcional densidad (DFT).